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IDT71256S85DB、TC55257BPL-85L、TC55257DPL-85L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71256S85DB TC55257BPL-85L TC55257DPL-85L

描述 CMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)85ns; V(dd/in): -0.3 to +7V; silicon gate CMOS: 32,768 word x 8Bit staic RAMIC 32K X 8 STANDARD SRAM, 85ns, PDIP28, 0.6INCH, 2.54MM PITCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

电源电压 - - 5 V

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

ECCN代码 3A001 - -