IRF3415SPBF、IRF3415STRLPBF、IRF3415S对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF3415SPBF IRF3415STRLPBF IRF3415S

描述 INFINEON  IRF3415SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 150V 43A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - 150 V

额定电流 - - 43.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 200 W 3.8 W 3.8W (Ta), 200W (Tc)

产品系列 - - IRF3415S

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 43A 43A 43.0 A

上升时间 55 ns 55 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

下降时间 69 ns 69 ns 69 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

额定功率 3.8 W 200 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.042 Ω 0.042 Ω -

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 2400pF @25V 2400 pF -

漏源击穿电压 150 V - -

热阻 0.75℃/W (RθJC) - -

额定功率(Max) - 3.8 W -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 6.22 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -