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IS42VM16800G-75BLI-TR、IS42VM16800H-75BLI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42VM16800G-75BLI-TR IS42VM16800H-75BLI-TR

描述 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R动态随机存取存储器 128M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 8Mx16, 133Mhz, RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 BGA-54 BGA-54

位数 16 16

存取时间(Max) 6ns, 8ns 6ns, 8ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

存取时间 - 6 ns

封装 BGA-54 BGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅