锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPP50R140CPXKSA1、IPP50R250CPHKSA1、IPP50R140CPHKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP50R140CPXKSA1 IPP50R250CPHKSA1 IPP50R140CPHKSA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 500 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 VTO-220AB N-CH 500V 13ATO-220AB N-CH 500V 23A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 192 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 140 mΩ - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 192 W 114W (Tc) 192W (Tc)

阈值电压 3 V - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V

漏源击穿电压 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 23A 13A 23A

上升时间 14 ns - 14 ns

输入电容(Ciss) 2540pF @100V(Vds) 1420pF @100V(Vds) 2540pF @100V(Vds)

下降时间 8 ns - 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 192W (Tc) 114W (Tc) 192W (Tc)

额定功率(Max) - - 192 W

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 15.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅