IS43TR16128B-125KBL、IS43TR16128B-125KBLI、IS43TR16128B-125KBL-TR对比区别
型号 IS43TR16128B-125KBL IS43TR16128B-125KBLI IS43TR16128B-125KBL-TR
描述 DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 1.2MM HEIGHT, LEAD FREE, TWBGA-962G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 96 96 96
封装 BGA-96 BGA-96 TFBGA-96
位数 16 16 16
存取时间 20 ns - 20 ns
工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃ 95 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V
电源电压(Max) 1.575 V 1.575 V 1.575 V
电源电压(Min) 1.425 V 1.425 V 1.425 V
供电电流 280 mA 280 mA -
存取时间(Max) 0.225 ns 0.225 ns -
封装 BGA-96 BGA-96 TFBGA-96
工作温度 0℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 95℃
产品生命周期 Active Active Last Time Buy
包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99