MTD20N06HD、MTD20N06HDL、NTD20N06T4G对比区别

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型号 MTD20N06HD MTD20N06HDL NTD20N06T4G

描述 功率MOSFET 20安培， 60伏特N沟道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK功率MOSFET 20安培， 60伏特，逻辑电平N沟道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAKON SEMICONDUCTOR  NTD20N06T4G  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 DPAK DPAK-252 TO-252-3

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 20.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0375 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - - 60 W

阈值电压 - - 2.91 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 20A 20A 20.0 A

上升时间 - 151 ns 60.5 ns

输入电容(Ciss) - 863pF @25V(Vds) 1015pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.88 W

下降时间 - 75 ns 37.1 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1750 mW 1.88 W

长度 - - 10.29 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 4.83 mm

封装 DPAK DPAK-252 TO-252-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR