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71V256SA15YI、IDT71V256SA15YI、K6E0808V1E-JI15对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V256SA15YI IDT71V256SA15YI K6E0808V1E-JI15

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 256Kbit 32K x 8 15ns 28Pin SOJ低功耗3.3V CMOS快速SRAM 256K ( 32K ×8位) LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Samsung (三星)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 SOJ BSOJ-28 SOJ

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 28 - -

封装 SOJ BSOJ-28 SOJ

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - 3A991 -