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2N6231、JANTX2N6385、JAN2N6674对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6231 JANTX2N6385 JAN2N6674

描述 Bipolar Transistors - BJT PNP TransistorTrans Darlington NPN 80V 10A 6000mW 3Pin(2+Tab) TO-3Trans GP BJT NPN 300V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-204

引脚数 - 3 -

击穿电压(集电极-发射极) - - 300 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 8 @10A, 2V

额定功率(Max) - - 6 W

耗散功率 - 6 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 6000 mW -

封装 TO-3 TO-3 TO-204

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -