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IRF8915TR、IRF8915TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8915TR IRF8915TRPBF

描述 SOIC N-CH 20V 8.9AINFINEON  IRF8915TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8.9 A, 20 V, 0.0146 ohm, 10 V, 2.5 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8

极性 N-CH Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 8.9A 8.9A

输入电容(Ciss) 540pF @10V(Vds) 540pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.0146 Ω

耗散功率 - 2 W

阈值电压 - 2.5 V

上升时间 - 12 ns

下降时间 - 3.6 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17