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7200L15SOGI、IDT7200L15SOGI、IDT7200L15SOI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7200L15SOGI IDT7200L15SOGI IDT7200L15SOI

描述 先进先出 256 X 9 CMOS PARALLEL FIFFIFO(先进先出)存储器,IDT### FIFO(先进先出)存储器IC MEM FIFO 256X9 15NS 28-SOIC

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 -

封装 SOIC-28 SOIC SOIC-28

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

存取时间 15 ns - 15 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

电路数 1 - -

长度 17.9 mm 17.9 mm -

宽度 8.4 mm 8.4 mm -

高度 2.62 mm 2.62 mm -

封装 SOIC-28 SOIC SOIC-28

厚度 2.62 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃