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DSA20C150PB、RF1601T2D、SR10100对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DSA20C150PB RF1601T2D SR10100

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  DSA20C150PB  小信号肖特基二极管, 双共阴极, 150 V, 10 A, 740 mV, 80 A, 175 °C快恢复二极管(硅外延平面) Fast recovery Diodes (Silicon Epitaxial Planar)Taiwan Semiconductor

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 肖特基二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 16.0 A -

正向电压 880mV @10A 930mV @8A -

反向恢复时间 - 30 ns -

正向电流 10 A 16 A 10 A

正向电压(Max) 740 mV 930mV @8A 850 mV

正向电流(Max) 20000 mA 16000 mA -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 - 150℃ (Max) -

针脚数 3 - -

耗散功率 60 W - -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 80 A - 120 A

耗散功率(Max) 60000 mW - -

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.5 mm -

高度 - 8 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Bulk Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -