FQB5N20TM、PHD9NQ20T、2SK216对比区别
型号 FQB5N20TM PHD9NQ20T 2SK216
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN-channel TrenchMOS™ transistor硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Philips (飞利浦) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Through Hole
封装 TO-263-3 - TO-220
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 4.50 A - -
漏源极电阻 1.20 Ω - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 3.13 W - -
漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A - 0.5A
上升时间 55 ns - -
输入电容(Ciss) 270pF @25V(Vds) - -
下降时间 25 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 52W (Tc) - -
长度 10.67 mm - -
宽度 9.65 mm - -
高度 4.83 mm - -
封装 TO-263-3 - TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free - -