FDS8958A、IRF7389TRPBF、IRF7319TRPBF对比区别
型号 FDS8958A IRF7389TRPBF IRF7319TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 VINFINEON IRF7389TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7.3 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 VINFINEON IRF7319TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 1.6 W 2.5 W 2 W
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.019 Ω 0.023 Ω 0.023 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N+P N+P
耗散功率 2 W 2.5 W 2 W
阈值电压 1.9 V 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.3A/5.3A 6.5A/4.9A
输入电容(Ciss) 575pF @15V(Vds) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 2.5 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2500 mW 2 W
额定电流 7.00 A - -
输入电容 528 pF - -
栅电荷 9.60 nC - -
漏源击穿电压 ±30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
上升时间 13.0 ns - -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -