IRF8010PBF、IRFB4410ZPBF、IRF8010LPBF对比区别

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型号 IRF8010PBF IRFB4410ZPBF IRF8010LPBF

描述 INFINEON  IRF8010PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFB4410ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VN 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262

额定功率 260 W 230 W 260 W

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.015 Ω 0.008 Ω 0.015 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 260 W 230 W 260 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 3830pF @25V 4820 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 80A 97A 80A

上升时间 130 ns 52 ns 130 ns

输入电容(Ciss) 3830pF @25V(Vds) 4820pF @50V(Vds) 3830pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 260 W 230 W -

下降时间 120 ns 57 ns 120 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 260000 mW 230000 mW 260 W

长度 10.54 mm 10.66 mm -

宽度 4.69 mm 4.82 mm -

高度 15.24 mm 9.02 mm 10.54 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -