BSC080N03MSGATMA1、FDMS7692、SIE800DF-T1-E3对比区别

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型号 BSC080N03MSGATMA1 FDMS7692 SIE800DF-T1-E3

描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MSGATMA1, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道30 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 10

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 -

额定功率 35 W - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0067 Ω 0.0065 Ω 0.0072 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 27 W 104 W

阈值电压 1 V 2 V 2.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13A 14A 50.0 A

上升时间 5.4 ns 2.7 ns -

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds) -

下降时间 5.6 ns 2.3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 35W (Tc) 27 W -

额定功率(Max) - 2.5 W -

长度 5.35 mm 5 mm -

宽度 6.1 mm 6 mm -

高度 1.1 mm 1.05 mm -

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15