PMBT3904VS,115、BZV55-C5V1,115、NST3904DXV6T5G对比区别

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型号 PMBT3904VS,115 BZV55-C5V1,115 NST3904DXV6T5G

描述 NXP  PMBT3904VS,115  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 240 mW, 200 mA, 100 hFENXP  BZV55-C5V1,115  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管齐纳二极管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 2 6

封装 SOT-666 SOD-80 SOT-563-6

容差 - ±5 % -

针脚数 6 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 240 mW 500 mW 0.5 W

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 5.1 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) 360 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360 mW 0.5 W 500 mW

频率 300 MHz - 300 MHz

极性 NPN, PNP - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 40 V - 40 V

集电极最大允许电流 0.2A - 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V - 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 60 @0.1mA, 1V - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 200 mA

输入电容 - - 8 pF

上升时间 - - 35 ns

下降时间 - - 50 ns

长度 - 3.7 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 0.6 mm 1.6 mm -

封装 SOT-666 SOD-80 SOT-563-6

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

温度系数 - -0.8 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99