IPB107N20N3G、IPB107N20NA对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPB107N20N3G IPB107N20NA

描述 200V,88A,N沟道功率MOSFETINFINEON  IPB107N20NA  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0096 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 300 W

阈值电压 - 3 V

漏源极电压(Vds) - 200 V

连续漏极电流(Ids) - 88A

上升时间 - 26 ns

输入电容(Ciss) - 7100pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W

下降时间 - 11 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

长度 - 10 mm

宽度 - 9.25 mm

高度 - 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

香港进出口证 NLR -