NCV8402ASTT3G、VNN3NV0413TR、NCV8402STT3G对比区别

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型号 NCV8402ASTT3G VNN3NV0413TR NCV8402STT3G

描述 保护 MOSFET SMARTDISCRETES™，ON Semiconductor自保护 MOSFET 可包括电流限制、温度限制和 ESD（静电放电）保护。### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET2A,42V过流,过热自保护功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管开关电源MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

无卤素状态 Halogen Free - -

输出接口数 1 1 1

通道数 2 - 1

针脚数 4 - -

漏源极电阻 0.165 Ω 120 mΩ -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 1.1 W 35 W 8.9 W

阈值电压 1.8 V - -

漏源极电压(Vds) 42 V - 42 V

连续漏极电流(Ids) 2A 3.50 A 2A

输出电流(Max) 2 A 3.5 A 2 A

输入数 1 1 1

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1620 mW 7000 mW 1620 mW

额定电压(DC) - 40.0 V -

额定电流 - 3.50 A -

输出电流 - 3.5 A -

漏源击穿电压 - 40.0 V -

上升时间 - 250 ns -

下降时间 - 250 ns -

电源电压(Max) - 55 V -

电源电压(Min) - 2.5 V -

长度 6.7 mm 6.50 mm -

宽度 3.7 mm 3.50 mm -

高度 1.65 mm - -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99