LM258N、LM358N、LM258DT对比区别
描述 STMICROELECTRONICS LM258N 运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚STMICROELECTRONICS LM358N 运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚LM158，LM258，LM358，低功率双路运算放大器，具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下，输入共模电压范围包含接地，且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益：100 dB 宽带宽（单位增益）：1.1 MHz ### 运算放大器，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 DIP-8 DIP-8 SOIC-8
电源电压(DC) - 5.00 V 32.0 V
输出电流 - - 60 mA
供电电流 700 µA 700 µA 700 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
共模抑制比 70 dB 70 dB 85 dB
带宽 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz
转换速率 600 mV/μs 600 mV/μs 600 mV/μs
增益频宽积 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz
输入补偿电压 1 mV 2 mV 1 mV
输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA
工作温度(Max) 105 ℃ 70 ℃ 105 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
增益带宽 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz
共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB
电源电压 3V ~ 30V 3V ~ 30V 3V ~ 30V
工作电压 - 3V ~ 32V -
耗散功率 - 500 mW -
电源电压(Max) - 30 V -
电源电压(Min) - 3 V -
长度 - 9.27 mm 4.9 mm
宽度 - 6.35 mm 3.9 mm
高度 - 3.3 mm 1.65 mm
封装 DIP-8 DIP-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99