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AS7C1026B-20TCN、IDT71016S20PHG、IDT71016S20PHG8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS7C1026B-20TCN IDT71016S20PHG IDT71016S20PHG8

描述 AS7C1026B 系列 1-Mb (64 K x 16) 5 V 20 ns CMOS 静态 RAM - TSOP 11-44CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)IC SRAM 1Mbit 20NS 44TSOP

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管功率二极管功率二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 2

封装 DO-5 DO-5 DO-5-2

正向电压 1.4 V 1.4V @50A 1.25 V

反向恢复时间 200 ns 150 ns 50 ns

正向电流 50000 mA 50000 mA 50000 mA

正向电流(Max) 50000 mA 50 A 50000 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

封装 DO-5 DO-5 DO-5-2

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -