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BZV55-B11、TZMB11-GS08、BZV55-B11-D1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B11 TZMB11-GS08 BZV55-B11-D1

描述 Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.4W, Silicon, Unidirectional500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorZener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, GLASS, MINIMELF-2

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 - Mini-MELF MELF

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 - Mini-MELF MELF

长度 - 3.7 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.6 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.5V @200mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 11 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 - EAR99 -