DB102、DB102G、B250S15A对比区别

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型号 DB102 DB102G B250S15A

描述 BRIDGE RECTIFIERS 0.8 to 1.5AGENESIC SEMICONDUCTOR DB102G Bridge Rectifier Diode, Single, 100V, 1A, DIP, 1.1V, 4Pins600V 1.5A

数据手册 ---

制造商 RFE International GeneSiC Semiconductor Diotec Semiconductor

分类 二极管

安装方式 - Through Hole Surface Mount

引脚数 - 4 4

封装 - EDIP-4 SO-DIP

正向电压 - 1.1V @1A 1.1 V

正向电流 - 1 A 1.5 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） - 30 A 50 A

正向电压(Max) - 1.1 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -50 ℃

负载电流 - - 1.5 A

反向恢复时间 - - 1500 ns

最大反向电压（Vrrm） - - 600V

高度 - 3.3 mm -

封装 - EDIP-4 SO-DIP

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99