FDB045AN08A0、IRFR024NTRPBF、STB160N75F3对比区别

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型号 FDB045AN08A0 IRFR024NTRPBF STB160N75F3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB045AN08A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 19.0 A - -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 4.5 mΩ 0.075 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 45 W 330 W

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 6.60 nF 370pF @25V -

栅电荷 92.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 75 V 55 V 75 V

漏源击穿电压 75.0 V 55 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 17A 60.0 A

上升时间 88 ns 34 ns 65 ns

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 45 W 330 W

下降时间 45 ns 27 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310W (Tc) 45W (Tc) 330W (Tc)

额定功率 - 38 W -

长度 10.67 mm 6.73 mm 10.75 mm

宽度 9.65 mm 6.22 mm 10.4 mm

高度 4.83 mm 2.39 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -