1N755C-1E3TR、JANTXV1N755C-1、JAN1N755C-1对比区别

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型号 1N755C-1E3TR JANTXV1N755C-1 JAN1N755C-1

描述 DO-35 7.5V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

容差 - ±2 % ±2 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

稳压值 7.5 V 7.5 V 7.5 V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

耗散功率 500 mW - -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -