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1N829、JANTXV1N829-1、1N821A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N829 JANTXV1N829-1 1N821A

描述 集成温度补偿齐纳二极管参考CHIPS Monolithic Temperature Compensated Zener Reference Chips6.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated6.2与6.55伏温度补偿齐纳二极管基准二极管 6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-7 DO-204AH DO-35-2

容差 ±5 % ±5 % ±5 %

耗散功率 500 mW 0.5 W 500 mW

测试电流 7.5 mA 7.5 mA 7.5 mA

稳压值 6.2 V 6.2 V 6.2 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

封装 DO-7 DO-204AH DO-35-2

长度 - - 5.08 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃