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FDG6321C、SI1539DL-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDG6321C SI1539DL-T1-GE3

描述 FDG6321C 系列 25 V 0.45 Ohm 双 N和P沟道 数字 FET SC70-6MOSFET N/P-CH 30V SC70-6

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6

针脚数 - -

漏源极电阻 0.45 Ω -

耗散功率 300 mW -

阈值电压 800 mV -

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V

输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 300 mW 270 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) - -

额定电流 500 mA -

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

输入电容 62.0 pF -

栅电荷 1.10 nC -

漏源击穿电压 25.0 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 410 mA -

上升时间 8.00 ns -

封装 SC-70-6 SC-70-6

长度 2 mm -

宽度 1.25 mm -

高度 1.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -