锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

71256S85DB、IDT71256L85DB、TC55257DPL-85L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71256S85DB IDT71256L85DB TC55257DPL-85L

描述 5V 32K x 8 Asynchronous Static RAMCMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 85ns, PDIP28, 0.6INCH, 2.54MM PITCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Toshiba (东芝)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 28 - -

封装 CDIP-28 CDIP DIP

存取时间 85 ns - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

电源电压 - - 5 V

长度 37.2 mm - -

宽度 15.24 mm - -

高度 1.65 mm - -

封装 CDIP-28 CDIP DIP

厚度 1.65 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 - 3A001 -