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JANTXV1N6476、1.5KE56A、1N6476对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV1N6476 1.5KE56A 1N6476

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 51.6V 1.5kW 2Pin Case GDiode TVS Single Uni-Dir 47.8V 1.5kW Automotive 2Pin Ammo高SUGRE性能为瞬态保护对于大部分关键电路。 HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Diotec Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 G - Case G

电路数 - - 1

钳位电压 78.5 V 77 V 78.5 V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 54 V - 54 V

击穿电压 54 V - 54 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -55 ℃

击穿电压 - 56 V -

耗散功率 - 1.5 kW -

工作结温 - -50℃ ~ 175℃ -

封装 G - Case G

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Ammo Pack Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead