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IPB70P04P4-09、IPD70P04P4-09对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB70P04P4-09 IPD70P04P4-09

描述 Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 1

漏源极电阻 9.1 mΩ 8.9 mΩ

极性 P-CH P-CH

耗散功率 75 W -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 72A 73A

上升时间 15 ns 12 ns

下降时间 31 ns 31 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 75 W 75000 mW

输入电容(Ciss) - 3700pF @25V(Vds)

长度 10 mm 6.5 mm

宽度 9.25 mm 6.22 mm

高度 4.4 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99