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M25P64-VME6G、M45PE40-VMP6、M25P64-VME6TG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M25P64-VME6G M45PE40-VMP6 M25P64-VME6TG

描述 64兆位,低电压,串行闪存的50MHz SPI总线接口 64 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface4兆位,低电压,页面可擦除串行闪存字节变性和33兆赫的SPI总线接口 4 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 33 MHz SPI Bus Interface64Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50MHz SPI bus interface

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Numonyx

分类 Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

封装 VSON HVSON VDFPN-8

内存容量 64000000 B - -

时钟频率 - - 50.0MHz (max)

电源电压 - - 2.7V ~ 3.6V

封装 VSON HVSON VDFPN-8

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 PB free - Lead Free

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃