IRFZ46NSPBF、STB60NF06T4、STB60N55F3对比区别

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型号 IRFZ46NSPBF STB60NF06T4 STB60N55F3

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3Pin(2+Tab) D2PAKN沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFETN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 - 15.0 mΩ 8.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 110 W 110 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 55.0 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 60.0 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 53.0 A 60.0 A 56.0 A, 80.0 A

上升时间 76.0 ns 108 ns 50 ns

输入电容(Ciss) - 1810pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W 110 W

下降时间 - 20 ns 11.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 53.0 A 60.0 A -

额定功率 120 W - -

产品系列 IRFZ46NS - -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 - - 10.75 mm

宽度 - - 10.4 mm

高度 - - 4.6 mm

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99