AO4435、FDS6681Z、IRF7416PBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 AO4435 FDS6681Z IRF7416PBF

描述 二极管与整流器FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6681Z  晶体管, MOSFET, P沟道, 20 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, 1.8 V-30V,-10A,P沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2 W - -

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 3.1 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 10.5A -20.0 A -10.0 A

上升时间 8.5 ns 9 ns 49.0 ns

输入电容(Ciss) 1400pF @15V(Vds) 7540pF @15V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 1 W 2.5 W

下降时间 7 ns 380 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta) 2.5W (Ta) -

额定电压(DC) - -30.0 V -30.0 V

额定电流 - -20.0 A -10.0 A

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.0038 Ω 0.035 Ω

阈值电压 - 1.8 V -

输入电容 - 7.54 nF -

栅电荷 - 185 nC -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

产品系列 - - IRF7416

漏源击穿电压 - - -30.0 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 -