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BC858、BSS65TC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858 BSS65TC

描述 0.25W(1/4W) General Purpose PNP SMD Transistor. 30V Vceo, 0.1A Ic, 125 - 800 hFE. Complementary BC848!SOT-23 PNP 12V 0.1A

数据手册 --

制造商 Continental Device Diodes (美台)

分类

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23-3

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3

长度 - 3.05 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant

极性 - PNP

耗散功率 - 330 mW

增益频宽积 - 400 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 30

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃