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DTA114TU3HZGT106、DTA114TUAFRAT106对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA114TU3HZGT106 DTA114TUAFRAT106

描述 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohmROHM  DTA114TUAFRAT106  晶体管 双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, SOT-323 新

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-323 SOT-323

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V -

额定功率(Max) 200 mW -

封装 SOT-323 SOT-323

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 -

产品生命周期 Active -