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APT2012P3BT、KP-2012P3BT、XZRNI54W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT2012P3BT KP-2012P3BT XZRNI54W

描述 光电晶体管 Phototransistor Blue Trans 1 mAPhototransistor Chip Silicon T/RPhoto Transistor, 2 X 1.25MM, 1.1MM HEIGHT, SMD, 2Pin

数据手册 ---

制造商 Kingbright Kingbright SunLED

分类 光电晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 2 - -

封装(公制) 2012 - -

封装 0805 - -

波长 940 nm - -

峰值波长 940 nm - -

耗散功率 100 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - -

额定功率(Max) 100 mW - -

下降时间 15 µs - -

下降时间(Max) 15000 ns 3000 ns -

上升时间(Max) 15000 ns 3000 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 100 mW 100 mW -

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.75 mm - -

封装(公制) 2012 - -

封装 0805 - -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -