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71V30L35TFGI、71V30L35TFGI8、7130LA35FB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V30L35TFGI 71V30L35TFGI8 7130LA35FB

描述 静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAMSRAM Chip Async Dual 3.3V 8Kbit 1K x 8 35ns 64Pin STQFP T/RIc Sram 8Kbit 35ns 48fpack

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 64 64 48

封装 TQFP-64 TQFP-64 FP-48

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

长度 10 mm 10.0 mm 19.0 mm

宽度 10 mm 10.0 mm 19.0 mm

封装 TQFP-64 TQFP-64 FP-48

厚度 1.40 mm 1.40 mm 2.20 mm

高度 1.4 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -

存取时间 35 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -