NTB45N06、NTB45N06LG、NTB45N06T4G对比区别

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型号 NTB45N06 NTB45N06LG NTB45N06T4G

描述 60V,45A,N沟道功率MOSFET45安培， 60伏特，逻辑电平， N沟道TO- 220和D2PAK 45 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel TO−220 and D2PAKON SEMICONDUCTOR  NTB45N06T4G  MOSFET Transistor, N Channel, 45 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 2.8 V 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 45.0 A 45.0 A 45.0 A

漏源极电阻 26.0 mΩ 28.0 mΩ 26 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 2.4 W 125 W

输入电容 1.72 nF 1.72 nF -

栅电荷 46.0 nC 46.0 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±15.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 45.0 A 45.0 A 45.0 A, 45.0 mA

输入电容(Ciss) 1224pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1725pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 125000 mW 2.4 W 2.4 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 4 V - 2.8 V

上升时间 101 ns - 101 ns

额定功率(Max) - - 2.4 W

下降时间 106 ns - 106 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.29 mm

宽度 - - 4.83 mm

高度 - - 11.05 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 800 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99