BUK9608-55A、BUK9608-55B,118、BUK9608-55对比区别

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型号 BUK9608-55A BUK9608-55B,118 BUK9608-55

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETD2PAK N-CH 55V 110ATrenchMOS transistor Logic level FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 D2PAK TO-263-3 -

漏源极电阻 - 0.0062 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 203 W -

阈值电压 - 1.5 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 125A 75.0 A -

上升时间 - 123 ns -

输入电容(Ciss) - 5280pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 203 W -

下降时间 - 86 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

耗散功率(Max) - 203W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -