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1N5248B-T、TC1N5248B、1N5248BDO35对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5248B-T TC1N5248B 1N5248BDO35

描述 稳压二极管 500MW 18VDO-35 18V 0.5W(1/2W)Diode Zener 18V 0.5W(1/2W) Do35

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) TAK Cheong Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35-2 DO-35 DO-35

额定电压(DC) 18.0 V - 18.0 V

容差 ±5 % - ±5 %

额定功率 500 mW - 500 mW

正向电压 1.1V @200mA - 1.5V @200mA

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 7 mA - -

稳压值 18 V 18 V 18 V

正向电压(Max) 1.1V @200mA - 1.5V @200mA

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

长度 4 mm - -

宽度 2 mm - -

高度 2 mm - -

封装 DO-35-2 DO-35 DO-35

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -65℃ ~ 175℃

材质 - - Glass

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead