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MRFG35010ANT1、MRFG35020AR1、MRFG35010ANR5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRFG35010ANT1 MRFG35020AR1 MRFG35010ANR5

描述 GaAs pHEMT Power FET, 500-5000MHz, 9W, 12VTrans JFET N-CH 15V 3Pin NI-360 T/RFET RF 15V 3.55GHz NI360HF

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管晶体管

基础参数对比

封装 PLD-1 NI-360 NI-360HF

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 - -

频率 3.55 GHz 3.5 GHz 3.55 GHz

输出功率 9 W 2 W 1 W

增益 10 dB 11.5 dB 10 dB

测试电流 130 mA 300 mA 130 mA

额定电压 15 V 15 V 15 V

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

封装 PLD-1 NI-360 NI-360HF

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 - -