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BZD27C100P、BZD27C100P-GS08对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C100P BZD27C100P-GS08

描述 TAIWAN SEMICONDUCTOR  BZD27C100P  单管二极管 齐纳, 100 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °CVISHAY  BZD27C100P-GS08  齐纳二极管, 100V

数据手册 --

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 2 2

封装 SMD DO-219AB

击穿电压 - 116 V

针脚数 2 2

耗散功率 800 mW 800 mW

稳压值 100 V 100 V

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

测试电流 4 mA -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 800 mW -

封装 SMD DO-219AB

长度 2.9 mm -

宽度 1.9 mm -

高度 1.43 mm -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -