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JAN1N5416US、JANTXV1N5416US、JANS1N5416US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5416US JANTXV1N5416US JANS1N5416US

描述 Diode Gen Purp 100V 3A AxialDiode Gen Purp 100V 3A D5bRectifiers Fast Rectifier (100-500ns)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 E-MELF SQ-MELF D-5B-2

正向电压 1.5V @9A 1.5V @9A 1.5 V

反向恢复时间 150 ns 150 ns -

正向电压(Max) 1.5V @9A 1.5V @9A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

长度 - - 5.72 mm

宽度 - - 3.76 mm

高度 - - 3.76 mm

封装 E-MELF SQ-MELF D-5B-2

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -