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IS43LR16160F-6BLI-TR、IS43LR16160G-6BLI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR16160F-6BLI-TR IS43LR16160G-6BLI-TR

描述 IC SDRAM 256Mbit 166MHz 60BGA动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60

封装 BGA-60 BGA-60

位数 16 16

存取时间 - 5.5 ns

存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 8ns, 5.5ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

封装 BGA-60 BGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99