SSS4N60B、STP80NF10、STP55NF06L对比区别

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型号 SSS4N60B STP80NF10 STP55NF06L

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP55NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 100 V 60.0 V

额定电流 - 80.0 A 55.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 2.50 Ω 0.012 Ω 0.014 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 33.0 W 300 W 95 W

阈值电压 - 3 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 600 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 600 V 100 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 80.0 A 55.0 A

上升时间 - 80 ns 100 ns

输入电容(Ciss) - 5500pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 95 W

下降时间 - 60 ns 20 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 95W (Tc)

额定功率 - 300 W -

输入电容 - 5500 pF -

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 9.15 mm 9.15 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99