IGW08T120、IXDR30N120D1、STGP8NC60KD对比区别

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型号 IGW08T120 IXDR30N120D1 STGP8NC60KD

描述 低损耗IGBT的TRENCHSTOP和场终止技术 Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technologyIXYS SEMICONDUCTOR  IXDR30N120D1  单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SC-705 TO-247 TO-220-3

针脚数 - 3 3

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 200 W 65 W

上升时间 - 70 ns -

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V 600 V

反向恢复时间 - 40 ns 23.5 ns

额定功率(Max) - 200 W 65 W

下降时间 - 70 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200000 mW 65000 mW

额定功率 70 W - -

长度 15.9 mm 16.13 mm -

宽度 5.03 mm 5.21 mm -

高度 20.9 mm 21.34 mm -

封装 SC-705 TO-247 TO-220-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99