IKA08N65H5XKSA1、IRG4PC50FPBF、IRG4PC50KDPBF对比区别
型号 IKA08N65H5XKSA1 IRG4PC50FPBF IRG4PC50KDPBF
描述 IGBT 分立，Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。INFINEON IRG4PC50FPBF 单晶体管, IGBT, 70 A, 1.79 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚Co-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 31200 mW 200 W 104 W
击穿电压(集电极-发射极) 650 V 600 V 600 V
反向恢复时间 40 ns - 50 ns
额定功率(Max) 31.2 W 200 W 200 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 31.2 W 200000 mW 200000 mW
额定功率 - 200 W 104 W
针脚数 - 3 3
极性 - N-Channel N-Channel
上升时间 - 25.0 ns 49.0 ns
长度 10.65 mm 15.9 mm 15.9 mm
宽度 4.85 mm 5.3 mm 5.3 mm
高度 16.15 mm 20.3 mm 20.3 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99