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1N2129A、R3410对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N2129A R3410

描述 电源硅整流二极管, 35 A / 40 A / 60 A Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A广颖电整流器 Silicon Power Rectifier

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Microsemi (美高森美)

分类 肖特基二极管功率二极管

基础参数对比

封装 DO-203AB DO-5

封装 DO-203AB DO-5

高度 36.9 mm -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk

额定电压(DC) 100 V -

额定电流 60.0 A -

输出电流 ≤60.0 A -

正向电压 1.3 V -

极性 Standard -

热阻 0.65℃/W (RθJC) -

正向电流 60 A -

正向电压(Max) 1.3V @188A -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

工作结温(Max) 200 ℃ -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -