JAN1N5523B-1、JANTX1N5523B-1、1N5523B对比区别

高亮显示差异参数

型号 JAN1N5523B-1 JANTX1N5523B-1 1N5523B

描述 低电压表面贴装500 mW的雪崩二极管 Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-35-2 DO-35-2 DO-204AH

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 5.1 V 5.1 V 5.1 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

耗散功率 - 500 mW -

耗散功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35-2 DO-35-2 DO-204AH

长度 5.08 mm 5.08 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 - EAR99 -