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IRLZ34NPBF、IRLZ44NPBF、IRLZ34PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLZ34NPBF IRLZ44NPBF IRLZ34PBF

描述 INFINEON  IRLZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 35 mohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRLZ44NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 55 V, 22 mohm, 10 V, 2 VVISHAY  IRLZ34PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 50 mohm, 5 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.035 Ω 0.022 Ω 0.05 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 56 W 83 W 88 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 30A 47A 30.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

额定功率 56 W - -

输入电容 880 pF 1700 pF -

漏源击穿电压 55 V 55 V -

上升时间 100 ns 84 ns -

输入电容(Ciss) 880pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 68 W 110 W -

下降时间 29 ns 15 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 68W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.54 mm 10.54 mm -

宽度 4.4 mm - -

高度 8.77 mm 8.77 mm -

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -