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IS61NLP51218A-200TQI、IS61NLP51218A-200TQLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61NLP51218A-200TQI IS61NLP51218A-200TQLI

描述 SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.1ns 100Pin TQFP静态随机存取存储器 8M (512Kx18) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 100 100

封装 TQFP-100 TQFP-100

电源电压(DC) 3.30 V, 3.47 V (max) 3.30 V, 3.47 V (max)

时钟频率 200MHz (max) 200MHz (max)

存取时间 3.1 ns 3.1 ns

内存容量 9000000 B -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 3.465 V 3.465 V

电源电压(Min) 3.135 V 3.135 V

位数 - 18

存取时间(Max) - 3.1 ns

电源电压 - 3.135V ~ 3.465V

封装 TQFP-100 TQFP-100

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 - EAR99